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电子元器件详细资料 » IC[20490] » IPP076N12N3 G
型号:IPP076N12N3 G类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)120V
电流_连续漏极(Id)0a025000C100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C7.6 毫欧 @ 100A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 130µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs101nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds6640pF @ 60V
功率_最大188W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3
包装管件

供应商

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